Class-AB Output

一句话定位

两级运放的第二级换成互补共源输出对(PMOS 上拉 M8 / NMOS 下拉 M7):静态电流 IQ 由 VB1 偏置支路单独控制,大信号时上拉/下拉管能给出远超 IQ 的瞬态电流——SR 不再被第一级/CC 卡死。大负载电容 + 快速 settling + 低静态功耗的场景优先。

何时选它 / 何时放弃

  • ✅ CL 大(几 pF 以上)且要求快 slew / settling(采样保持、ADC 前端、片外负载)
  • ✅ 静态功耗预算紧:不能靠加大 Class-A 偏置换 SR
  • ✅ 两级运放要"高增益 + 大摆幅 + 强驱动"三样全要(配合 01-Classical Miller 补偿)
  • ❌ 高线性度(THD 极严)应用:交越失真要花大代价处理
  • ❌ 极简设计:保证 IQ 的 PVT 稳定需要专门偏置电路,不是白送的
  • ❌ 单级就能满足 → 先想 01-Simple OTA 或单级自适应 Class-AB(03-Class-AB)

电路结构

图 A020013:两级 OTA + 互补 Class-AB 第二级——VB1 支路产生两路栅驱动(上拉 PMOS M8 / 下拉 NMOS M7),CC 参与补偿(ADT 原始图,识别见 ADT SVG 图索引)。

信号路径一句话:第一级与 Classical Miller 相同(差分输入 → 电流镜转单端);第二级输入节点同时驱动两条支路——一路直接驱动下拉 NMOS M7,一路经 VB1 电平移位后驱动上拉 PMOS M8。小信号时两管同向叠加(推挽,gm 翻倍);大信号时对应方向的管子被推到大电流,给 CL 充电靠 M8、放电靠 M7,两个方向都有主动器件。

与 Class-A 第二级的本质区别:Class-A 只有一个主动管 + 电流源,大信号电流上限就是静态电流 IQ;Class-AB 是两个主动管,谁需要谁发力,大信号电流与静态电流解耦。

变体速览

变体 图号 一句话区别
NMOS 输入版 A020014 CC 跨接输出与上拉驱动节点,此接法下 CC 两端都与驱动节点相关,大信号与补偿行为与 A020013 不同
Cascode 第一级 A020015/A020016 第一级换 cascode 抬增益,VB1 支路兼做电平移位;A020016 为极性互补版
Folded 第一级 A020017/A020018 Folded 第一级,左右支路独立产生上拉/下拉栅驱动;A020018 为对偶版

核心设计公式(设计时直接查)

记号约定:gmp 上拉 PMOS 跨导,gmn 下拉 NMOS 跨导;IQ 输出级静态电流(设计参数),Iout,max 大信号最大输出电流;CL 输出端总电容;Vovp、Vovn 输出管过驱电压。

指标 公式 说明
输出级跨导 gm,out=gmp+gmn 推挽:同一电压摆幅同时驱动两管,小信号跨导是两管之和——同样的静态电流,比 Class-A 多一倍的 gm
总 DC 增益 A0=gm1(ro1|ro3)⋅gm,out(rop|ron) 第一级 × 互补共源第二级,60–80 dB 照拿
GBW GBW=gm12πCC 与 Classical Miller 相同,补偿机理不变,GBW 仍由第一级 gm 定
输出非主极点 ωp2=gm,outCL gmp+gmn 让 ωp2 天然更高——推挽的第二重红利
静态电流 IQ:由 VB1 支路/浮动电流源设定 设计参数,不是自动结果;跨 PVT 稳定它需要专门偏置
最大输出电流 Iout,max≫IQ(大信号) 由输出管尺寸与栅驱动摆幅决定;充/放电方向分别由 M8/M7 给出
转换速率 SR≈Iout,maxCL 大信号电流由输出管提供,SR 被输出管大信号电流解放(前提:栅驱动节点跟得上,见注意事项 5)
输出摆幅 $V_{out,max}=V_{DD}- V_
静态功耗 PQ≈IQVDD 输出级静态功耗;大信号电流是"瞬态免费"的

设计流程:从规格到 W/L

  1. 由 SR 与 CL 定 Iout,max:Iout,max≥SR⋅CL;据此定输出管 W/L(栅过驱范围由第一级/驱动节点摆幅决定)。
  2. 偏置电路优先(灵魂):定 IQ 与 VB1 支路/浮动电流源——IQ 由交越失真与静态功耗折中,PVT 稳定性靠偏置结构保证;静态电流对 PVT 敏感,偏置先行。
  3. 定第一级与 CC:gm1=2πGBWCC,CC 按 Miller 经验起步;注意 CC 的接点(A020014 跨输出与上拉驱动节点)会改变大信号与补偿行为。
  4. 输出级 gm 校验:gm,out=gmp+gmn,ωp2=gm,out/CL≥2.2×GBW;不够 → 加输出管电流(不是只加尺寸)。
  5. 摆幅与功耗核算:Vout,max=VDD−|Vovp|、Vout,min=Vovn;PQ≈IQVDD 进预算。
  6. 仿真闭环:AC/STB 看 PM;transient 三查——slew/settling、交越区波形(激励幅度必须覆盖交越区)、shoot-through 电流(VDD 到 GND 的瞬态电流);PVT corner 全扫(fast + 低温下 IQ 漂移最大)。
设计速算示例

规格:GBW = 20 MHz、CL = 10 pF、SR = 100 V/µs、VDD = 1.8 V

  1. Iout,max≥100V/μs×10p=1mA:输出管按大信号源/灌 1 mA 定尺寸
  2. IQ 取两管各 100 µA(共 200 µA)→ 静态功耗 ≈ 0.36 mW;对比 Class-A 若靠 IQ 撑 1 mA 要烧 1.8 mW
  3. gm,out≥2.2×2π×20M×10p≈2.76mS → 每管 1.4 mS,gm/ID ≈ 14(中反型)合理
  4. 摆幅:设 Vov≈0.15V → 输出峰峰 ≈ 1.8−0.3 = 1.5 V
  5. CC ≈ 0.3×10 p = 3 pF;gm1=2π×20M×3p≈0.38mS
  6. 仿真:transient 查交越区与 shoot-through,PVT 扫 IQ 漂移

注意事项 / 常见坑

  1. 交越失真与死区:IQ 太小时两管在交越区同时关断,输出阻抗突变、失真与 settling 变差;VB1 两支路的压差决定死区宽度——甲乙类偏置的本质折中,扫 IQ 看 THD 与 PM 的 trade-off。
  2. 静态电流失控 / shoot-through:上下管偏置配合不当 → IQ 失控,大信号时甚至 VDD–GND 直接穿通;fast corner + 低温是重灾区,PVT 全扫必须过。
  3. 输出管大 W/L 的寄生:大尺寸输出管栅电容大,驱动节点极点被压低;CC 与驱动节点相互作用(A020014 的接法),补偿必须重新审视,不能直接套 Classical Miller 的结论。
  4. 与单级自适应 Class-AB 的区别:03-Class-AB 是单级结构,靠自适应偏置(IF 浮动支路)提高单级电流效率;本笔记是两级结构——独立的第一级 + 互补输出级,补偿与偏置机制都不同,公式不要混用。
  5. SR 需要第一级配合:输出管给得出大电流,但栅驱动节点要靠第一级快速建立;第一级电流太小或驱动节点电容太大时,大信号速度瓶颈回到第一级——别只算 Iout,max/CL。
  6. IQ 不是自动的结果:没有偏置环路时 IQ 对 PVT 极度敏感;浮动电流源/自适应偏置是标配,偏置设计先行。

优点 / 缺点

优点 缺点
大信号电流 ≫ IQ:SR 与负载驱动能力大幅提升 偏置复杂:IQ 的 PVT 稳定需要专门偏置电路
静态功耗低:IQ 可设计得很小 交越失真:THD 与 settling 的隐藏杀手
输出摆幅贴轨:无 cascode headroom 开销 shoot-through 风险:偏置配合不当穿通 VDD–GND
小信号 gm 翻倍(gmp+gmn):输出极点天然更高 输出管栅电容大:补偿网络必须重设计
与 Classical Miller / Ahuja 补偿兼容,升级路径平滑 噪声/失调:输出级器件贡献,驱动管失配影响输出直流电平

与邻近结构对比

对比项 Class-A 第二级(普通共源) Class-AB 互补输出级
大信号电流 ≈ 静态电流 IQ ≫ IQ
SR 上限 受 IQ/CL 与 IT1/CC 限制 ≈ Iout,max/CL(被解放)
静态功耗 高(靠 IQ 撑 SR) 低
输出摆幅 受负载电流源限制 贴轨
小信号 gm gm6 gmp+gmn(同电流翻倍)
交越失真 无(单管) 有,需处理
shoot-through 风险 无 有
偏置复杂度 低 高

一句话:Class-AB 输出级用"偏置复杂 + 交越失真"换"大信号电流 + 低静态功耗 + 贴轨摆幅"——大 CL 快速 settle 场景几乎必选。与单级 03-Class-AB 的区别:那是单级自适应偏置,本笔记是两级结构的输出级。

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